來源：新浪VR

中國晶圓代工廠中芯國際（SMIC）和LSI制造商Innosilicon宣布，他們已經完成了使用前者的N + 1工藝技術制造的第一款國產芯片的數字設計。根據中芯國際的《梁夢頌》，在效率方面，該公司的N + 1工藝與臺積電的7nm節點“幾乎相同”。臺積電的N7級節點是世界上最先進的節點，僅次于其5nm EUV工藝，這本身就是一個大膽的主張。

但是，仔細研究一下基礎知識，很明顯，盡管N + 1相當有效，但就性能和密度而言，還遠遠不夠。與SMIC自己的14nm工藝相比，N + 1降低了57%的功耗，邏輯芯片面積減少了63%。但是，性能提升僅為20%左右。相比之下，TSMC的7nm節點與14nm節點相比，性能提高了35%，功率效率提高了55%，密度提高了3.3倍。

另一個問題是，中芯國際N + 1工藝的生產成本比臺積電7nm工藝的生產成本高得多，后者與產量直接相關。要再提高一兩年的產量。因此，我們正在研究2021年甚至2022年的量產。

這主要是由于中芯國際被迫使用193nm掃描儀，與臺積電的7nm（ASML）掃描儀相比，它需要更多的生產步驟，掩模和原材料。

中芯國際（SMIC）希望在其N + 2節點上引入EUV技術，但美國最近的限制使其擱置。消息人士稱，中芯國際已經獲得了EUV步進掃描系統，但由于制裁，該系統尚未安裝。

有趣的是，在實際開始批量生產時，與其他高級流程相比，N + 1流程的效果如何。但是，請記住，屆時臺積電將開始量產其3nm和2nm工藝。