來源：新浪VR

9月25日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，今年一季度順利量產(chǎn)5nm工藝的臺(tái)積電，正在研發(fā)更先進(jìn)的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

3nm工藝投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步將投產(chǎn)的就將是2nm工藝，在2019年的年報(bào)中，臺(tái)積電首次披露他們在研發(fā)2nm工藝。

在本周早些時(shí)候的報(bào)道中，外媒稱臺(tái)積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進(jìn)展，研發(fā)進(jìn)入了高級階段，先于他們的計(jì)劃。

在量產(chǎn)時(shí)間方面，外媒在報(bào)道中指出，臺(tái)積電對2nm工藝在2023年年底的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良品率達(dá)到90%非常樂觀。

外媒根據(jù)目前的研發(fā)進(jìn)展推測，臺(tái)積電的2nm工藝將在2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

臺(tái)積電的2nm工藝若如外媒報(bào)道的那樣在2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)、隨后一年大規(guī)模投產(chǎn)，也就意味著他們?nèi)詫⒈３謨赡晖懂a(chǎn)一代新工藝的節(jié)奏。

臺(tái)積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規(guī)模投產(chǎn)的，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)，中間相隔約兩年；

5nm之后的3nm工藝，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)、2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)，雖然距5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)的時(shí)間間隔超過兩年，但量產(chǎn)時(shí)間大概率會(huì)提前，屆時(shí)間隔預(yù)計(jì)也在兩年左右。

對于臺(tái)積電的2nm工藝，外媒此前曾報(bào)道稱將會(huì)采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA），不會(huì)繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)。

2nm工藝在2023年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，也就意味著臺(tái)積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產(chǎn)芯片的工廠。

對于工廠，外媒在上周的報(bào)道中曾提到，臺(tái)積電負(fù)責(zé)營運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛，透露他們計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地已經(jīng)獲得。

臺(tái)積電董事長劉德音目前也透露，他們可能會(huì)擴(kuò)展位于臺(tái)中的晶圓十五廠，以增加2nm工藝的產(chǎn)能。